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文 | 鄭燦城

編輯 | 高雅

36氪獲悉，半導體功率器件廠商「安建半導體」已于近日獲1.8億元B輪融資，本輪融資由超越摩爾投資領投，弘鼎資本、龍鼎投資、聯和資本、君盛投資和金建誠投資跟投。募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產品開發、第三代半導體SiC器件開發和IGBT模塊封測廠建設。

半導體功率器件市場是兼具存量和增量的中國機遇。存量的機遇源于中國市場的需求量并不能靠自身滿足，IHS（數據提供商埃信華邁）數據顯示，中國市場對半導體功率器件的需求量占據了全球35%，然而位列全球功率半導體市場前八名的公司中，并無一家中國企業，這八家的市場份額占比達55.4%。

其次，這是一個增長型市場。2018年，全球功率器件市場規模約為391億美元，這一數字預計到2021年可達441億美元，年復合增長率為4.1%。該預測中，中國市場的需求量也將隨整體市場一起擴大，預計2021年中國市場規模可達159億元。

「安建半導體」對標的正是全球前八名的功率半導體企業，其專注于半導體功率器件的研發、設計和銷售，是賦能高端芯片國產化的企業之一。

功率半導體是電力設備的核心器件，其主要作用是為電力系統提供變頻、變壓、變流、電機推動和功率管理等功能。因此，所有的電力設備都需要用到半導體功率器件。目前，MOS管和IGBT是應用最廣泛的功率器件，占比90%以上。這兩者也是「安建半導體」的主要業務。

其中，MOS管是基礎功率器件的一種升級形式。最早的功率器件是三極管，原理是當基極與發射極為正時導通，反之截止1；MOS管是人們在三極管基礎上的進一步發明，其特殊的結構能夠實現高開關頻率，但擊穿電壓2高會增加阻抗，造成較大的損耗；

IGBT則更進一步的中和了MOS管和雙極管的性能特性，其可使用的功率范圍更寬，可以在MOS管不適用的大電壓和大電流場景中使用，但在頻率上略有犧牲。

資料來源：方正證券研究所

「安建半導體」成立于2016年，彼時就選擇了一條由難到易的技術路線。低壓MOS管中，電壓越低制作難度越大3，「安建半導體」第一款產品就是25V的低壓MOS，難度最高。

此外，在IGBT領域，「安建半導體」也選擇以國內最頂尖的技術節點切入?。

「安建半導體」創始人單建安告訴36氪，這樣的選擇是因為「安建半導體」成立之初資金并不充裕，這款產品向市場展示了「安建半導體」的技術實力。彼時和「安建半導體」合作的晶圓廠盡管還未達到世界最頂尖的水平，但「安建半導體」憑借制造端較低的技術節點，產品性能就能夠媲美國外知名芯片大廠。

產品推出以后，很多大型企業選擇將「安建半導體」作為合作伙伴，產品力也為「安建半導體」后續融資打下了基礎。

本輪投資方廈門聯和資本投資總監葉振彪就表示，功率器件是電力電子設備的心臟，單建安教授組建的安建團隊是國內少數從先進功率芯片進行正向研發，從而涉足功率器件以及功率模組業務的優秀公司。

目前「安建半導體」的產品線已經涵蓋大部分MOS管和IGBT產品，其中已有三條產品線實現量產，分別是低電壓的SGT-MOS管（屏蔽柵金屬氧化物場效應晶體管）、高電壓的SJ-MOS管（超結金屬氧化物場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（場截止溝槽型絕緣柵雙極晶體管），產品均具有高性能高可靠性。

未來，「安建半導體」還將針對不同應用場景還將繼續開發不同性能和不同規格的產品，實現功率器件所有電壓和電流全覆蓋，完成做全系列高低壓MOS管和IGBT產品的目標。

「安建半導體」供圖

同時，「安建半導體」還計劃推出車規級產品。「安建半導體」A輪投資方海闊天空創投聯合創辦人及管理合伙人文立表示，IGBT是數百億美元級別的賽道，近幾年多在電車、儲能、光伏、高壓電等領域得到廣泛應用。

這些領域恰好也是近幾年逐漸成為風口的新物種，因此該領域功率器件還未實現標準化。尤其是汽車領域對安全性的追求較高，也就同樣要求功率器件具有非常高的可靠性。單建安向36氪透露，「安建半導體」正在與上海汽車商談戰略合作，研發應用于其新能車的IGBT產品。

另一探索點是朝著第三代半導體的趨勢做研發。目前，傳統半導體的襯底多以硅為主，而第三代SiC半導體是將碳化硅取代硅作為襯底，這可以使新一代半導體更薄、更輕、更小巧，并能夠在大電壓大電流場景中實現更高性能。「安建半導體」現有產品仍是以硅為襯底，未來將會用碳化硅材料開發更多的功率器件產品。

此外，「安建半導體」還希望打通制造環節。全球主流廠商都是IDM模式（設計制造一體化），其優勢是設計和制造環節能夠更好的配合。而中國鮮有IDM企業，「安建半導體」計劃在未來組建模塊制造廠，再和晶圓制造廠做綁定合作，這是一種虛擬IDM模式?。

團隊方面，創始人單建安本碩博畢業于加拿大多倫多大學電氣工程專業，1988年博士畢業后任美國紐約飛利浦研究所高級研究員，1991年回國一同創辦香港科技大學，任電子與計算機工程系教授。在港科大任教期間，單建安一直在做功率器件的技術儲備和人才培訓，2015年受邀參與中國香港上市公司華虹半導體重要會議，會議決定雙方綁定合作，次年正式成立「安建半導體」研發半導體功率器件。

談及初心，單建安向36氪表示，“自就讀加拿大多倫多大學以來，在國外共生活了17年，但自始至終沒有在異國常住的計劃，當時看到中美在這個領域的差距，無時無刻不想著早日回國為祖國半導體事業貢獻自己的力量。”

最后作為補充，我們對不同應用場景中不同功率器件和不同封裝技術進行說明。按照功率高低進行劃分，低電流低功率場景中通常封裝到單管，而在高電流高功率場景中，單管往往是不足以支撐的，所以需要將多個功率器件封裝到一個模塊里。MOS管和IGBT的區別也體現于此：MOS管由于其自身阻抗大的特點，天然不適用于大電流場景，因此MOS管多為單管，而IGBT既能封裝到單管也能封裝到IGBT模塊。

「安建半導體」IGBT單管（左）、IGBT模塊（右）

「安建半導體」投資方觀點：

超越摩爾董事總經理史晶星博士表示，功率器件是中國最大概率可以實現彎道超車的賽道，也一直是超越摩爾的重點布局方向之一。

弘鼎創投資深經理潘本閎表示，目前，安建半導體產品主要面向工業場景，這一領域的高電壓大電流產品以國外為主，在高性能領域，中國企業面臨很高的進入壁壘。安建半導體團隊有非常深厚的技術底蘊，產品已經多方認證，看好安建在該領域的國產化替代空間。另外，當下新能車逐步替代燃油車，電的供應成為下一個要考慮的問題，以優化用電的方式提高效能將成為行業趨勢，未來該領域將成為安建半導體的一大增長點。

龍鼎投資總經理姚鵬也認為，安建半導體能夠在國內落地，適應了時代向汽車電動化以及新能源發展的方向，更彌補了行業的不足。

君盛投資管理有限公司董事總經理鄧立軍表示，國家“雙碳”戰略背景下，光伏新能源、電動汽車、工業控制等行業對功率半導體的需求持續旺盛，IGBT、MOSFET等功率半導體具有非常廣闊的成長空間。供應鏈國產化的契機，為國內真正有技術實力的創業公司提供了絕佳的機會。

尾注：

【1】截止指的是電流不導通。

【2】當工作電壓小于擊穿電壓時，功率器件正常工作；超出擊穿電壓時，功率器件失效。

【3】功率等于電壓的平方比上電阻，在電壓小的情況下，就需要MOS管的阻抗更低。

【4】技術節點越高，IGBT的開發難度越大。

【5】虛擬IDM指的是通過綁定合作，提前鎖定晶圓制造廠產能的一種新IDM模式。