安建半導體推出第二代30V極低電阻DFN系列MOSFET，共創高頻高效新紀元

安建半導體推出第二代30V極低電阻DFN系列MOSFET，共創高頻高效新紀元

安建半導體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產品平臺，融合國內尖端技術與設計，開創功率密度新高度，在開關特性和導通電阻等關鍵參數方面達到行業巔峰，助力高效能源轉換和低能耗運行。這一平臺不僅適用于高功率高要求領域，更能顯著提升常規應用的整體效率，削減能源開支并延長系統壽命，憑借卓越性能贏得市場競爭優勢。平臺已于上年初量產，廣泛應用于工業開關模式電源(SMPS)、中小型低壓電機驅動器(BLDC)和電池管理系統(BMS)。

1.  產品性能

1. 市場領先FOM (Figure of Merit)：極低導通及開關損耗，適用于高載頻及高功率工況，提供高效的能量轉換和節能效果。

2. 高可靠性：卓越的可靠性與耐用性，嚴格通過一系列JEDEC國際標準測試。

3. 出色沖擊能力：低熱阻，高雪崩能力，滿足高電流及瞬間關斷時的要求。

4. 優異良好一致性：支持多管并聯應用。

2. 競品對比(參數)

FOM包括了MOSFET最關鍵的性能指標 : 導通電阻 ( RDS(on) ) 及閘極電荷 ( Qg )。較低的導通電阻代表MOSFET在導通狀態下具有更低的功耗和更高的效率。較低的閘極電荷代表MOSFET可以更快地在導通和截止之間切換，從而減少功耗和提高性能。JSAB 第二代30V與第一代30V相比，FOM及Ron數值大幅下降了20% 和 30%。彰顯JSAB產品的領先地位，具備成為出色替代或新開發方案的強有力競爭者的潛力。

3. 競品對比(應用)

JSAB 第二代30V SGT MOSFET已在不同客戶中通過嚴苛的測試和檢驗，成功在國內外競爭者中突圍而出。在工業用電源的溫升測試中，比國內相近競品低10°C以上，表現出優秀的熱性能及提高整體系統可靠性，實現極高效的能源轉換。該產品展現出優秀性能，提高整體效率，降低能源成本并延長系統的工作壽命。

4. 技術特點

JSAB 第二代30V SGT MOSFET采用極小元胞尺寸及短溝道技術，全面優化設計，達到極低的FOM (RDS(on) x Qg)，大幅降低開關損耗及導通損耗，超越國外一流頂尖品牌規格。此外JSAB 第二代30V SGT MOSFET更推出了雙面散熱式封裝，可以有效地將器件發熱部分的熱量傳導到散熱片上，從而提高散熱效率。這種封裝適合高功率密度的應用，能夠更好地控制溫度并提高器件的可靠性。

5. 推薦型號

安建半導體致力于為客戶提供國際一流、國內領先的功率半導體器件，如需樣品，歡迎聯系sales@jsab-tech.com。