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產品技術
專注功率半導體器件的研發設計制造及提供完整的解決方案
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08
2021-11
JSAB IGBT產品可靠性
JSAB IGBT 通過采用獨特的耐壓結構設計，確保產品可靠性達到國際一流水平。JSAB 650V 及 1200V IGBT 芯片均已通過業內最高標準的 175℃, 1000小時高溫反偏 (HTRB、HTGB) 老化加速可靠性測試 。
JSAB
IGBT
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07
2021-11
JSAB SGT-MOS UIS 性能
JSAB 型號：JMM5770N 規格：40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V)，如上圖，JMM5770N雪崩電壓可達~60V，并可以安全通過200us以上動態雪崩測試，體現出很好的雪崩耐量能力，非常適合用于Power tools、SMPS等應用。
JSAB
SGT-MOS
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0755-2267 0460
sales@jsab-tech.com
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